真空镀膜机导电膜特性/成本优于ITO 适用软性电子以高阶注入的高能隙金属氧化物如氧化铟锡(ITO)形成的透明导电膜在光电产业的应用非常成功，举凡平面显示器、太阳能电池和触控面板等都须使用。然而除须兼顾薄膜的透明度和电性外，软性电子元件所需的透明导电膜还须具备可绕曲特性，若仍选择容易因为弯曲而产生缺陷的金属氧化物薄膜时，元件的可绕曲次数和可弯曲程度便会受到限制，进而影响到可应用范围。除此之外，常用铟锡氧化物中的铟属于稀有金属，被大量使用之后，容易发生原料短缺、价格上涨的缺点，因此开发具备柔韧性的透明导电膜对软性电子元件技术发展很重要。
真空镀膜机厂具有导电性的高分子材料种类繁多，如聚乙炔(Polyacetylene)、聚苯胺(Polyaniline)、聚咇咯(Polypyrrole)、聚吩(Polythiophene)等，然而考虑到必须兼顾透明及高导电度的特性下，目前最成功的材料是Polythiophene系列中的Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-PEDOT(产品型态多为溷和Polystyrenesulfonicacid-PSS的水溶液)，材料业者如Agfa和H.C.Starck已可推出导电率接近1,000S/cm的产品，可用来制作具有光穿透率大于80%、表面电阻约200Ω/sq和高度可绕曲性的导电基板。
近年来，广东真空镀膜机研究者开始注意到ITO-金属-ITO多层膜系统，其优点在于透光、导电和可绕曲等特性的增进，其中导电性和可绕曲性的增进原因较直观，皆来自于金属薄膜本身优异的特性。透光性的增加则来自这类介电-金属-介电多层膜构造对可见光反射的抑制效果，同时透过光学设计可改变穿透光的频谱，造成选择性透明的功能。
软性光电元件的发展，须使用可绕曲的透明导电膜才能完善，然而现今被大量使用的金属氧化物电极如ITO，并不能满足这个需求。
真空镀膜机透明导电膜技术及其在太阳能元件上的应用，这些技术包括导电高分子、氧化物-金属-氧化物多层膜技术、奈米银自组装及银奈米线等，都能形成透明又导电的薄膜或是网状结构，而且特性和制造成本优于ITO，将来都有可能成功地被应用在可绕曲的光电元件上。
