在磁控溅射真空镀膜机腔体真空中，高能粒子轰击材料表面，使其原子获得足够的能量而逸出表面，到达衬底凝结成膜的技术。与真发镀膜相比，溅射镀膜适用于所有（包括高熔点）材料，具有附着力强、成分可控、易于规模化生产等优点。

1.磁控溅射真空镀膜机二极溅射
     在靶材和衬底之间加上一个直流高压，极板间的气体（一般为Ar2）电离，高速带电离子轰击靶材表面的溅射镀膜技术。要保持自持放电，在两极板间距为数厘米的正常溅射间距下，放电气压一般高达10帕，这对溅射效率和薄膜质量都是不利的。因此，直流溅射多采用非自持放电，也就是加入热电子发射极和辅助阳极的四极溅射，可使溅射在10-1～10-2帕的低气压下进行。
优点：结构简单     
缺点：只能溅射导电性好的金属材料，溅射效率较低

2.磁控溅射真空镀膜机射频溅射
     采用射频电源代替直流电源，在靶和衬底间施加高频电压，溅射时，靶极会产生自偏压效应（即靶极会自动处于负电位状态），使绝缘靶的溅射得到维持。常用的频率约为13.56兆赫。

优点：可以溅射所有材料，包括导体和绝缘体，溅射效率高，可大规模生产
缺点：射频电源有一定的辐射问题

3.磁控溅射真空镀膜机磁控溅射
      磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子；新电子飞向基片，Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜，而产生的二次电子会受到电场和磁场作用，产生E（电场）×B（磁场）所指的方向漂移，简称E×B漂移，其运动轨迹近似于一条摆线。若为环形磁场，则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动，它们的运动路径不仅很长，而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，并且在该区域中电离出大量的Ar 来轰击靶材，从而实现了高的沉积速率。随着碰撞次数的增加，二次电子的能量消耗殆尽，逐渐远离靶表面，并在电场E的作用下最终沉积在基片上。由于该电子的能量很低，传递给基片的能量很小，致使基片温升较低。磁控溅射是入射粒子和靶的碰撞过程。入射粒子在靶中经历复杂的散射过程，和靶原子碰撞，把部分动量传给靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成级联过程。在这种级联过程中某些表面附近的靶原子获得向外运动的足够动量，离开靶被溅射出来。
优点：成膜速率高，基片温度低，膜的粘附性好，可实现大面积镀膜
缺点：靶材消耗不均匀，不能采用磁性材料的靶材

4.磁控溅射真空镀膜机反应溅射
      现代表面工程的发展越来越多地需要用到各种化合物薄膜，反应磁控溅射技术是沉积化合物薄膜的主要方式之一。沉积多元成分的化合物薄膜，可以使用化合物材料制作的靶材溅射沉积，也可以在溅射纯金属或合金靶材时，通入一定的反应气体，如氧气、氮气，反应沉积化合物薄膜，后者被称这反应溅射。通常纯金属靶和反应气体较容易获得很高的纯度，因而反应溅射被广泛的应用沉积化合物薄膜。
优点：
(1)反应 磁控溅射所用的靶材料 ( 单元素靶或多元素靶 ) 和反应气体 ( 氧、氮、碳氢化合物等 ) 纯度很高，因而有利于制备高纯度的化合物薄膜。
(2)通过调节反应磁控溅射中的工艺参数 , 可以制备化学配比或非化学配比的化合物薄膜，通过调节薄膜的组成来调控薄膜特性。 
(3) 反应磁控溅射沉积过程中基板升温较小，而且制膜过程中通常也不要求对基板进行高温加热，因此对基板材料的限制较少。 
(4) 反应磁控溅射适于制备大面积均匀薄膜，并能实现单机年产上百万平方米镀膜的工业化生产。
缺点：容易出现靶中毒，阳极消失等问题