蒸发技术:

        从标准和定制蒸发源的全部范围中进行选择，并使用石英和光学监控器对速率和层厚进行源控制。

        结合先进的过程控制技术来控制涂层自身的应力，温度分布或光学特性，蒸发源可实现金属，电介质和TCO的精确沉积，适用于各种应用，包括功率器件，无线，LED，MEMS和光子学。

        热源

        船，灯丝源和大容量桶状源，用于数百纳米的厚层。

        电子束蒸发

        带有纵向光束扫描的车身

        带有喷枪的系统，以及用于较厚层的单，多口袋和大容量坩埚的全数字光束扫掠仪。

        带有坩埚转塔系统的定制电子枪震源，用于特殊应用，并延长了震源维护之间的产品时间。

        渗出池技术

        高稳定性的“散布源”可用于高温和低蒸气压材料的定制应用，或在共沉积应用中需要特殊低掺杂速率的应用。

        等离子体离子辅助蒸发（PIAD）

        离子源技术可为光子学和光电子学领域的应用提供更低的工艺温度，更短的工艺时间以及增强的薄膜性能。

 HCVAC专有的阴极技术和平台专为批量生产中的高速率和长目标寿命而设计，以最低的拥有成本。我们根据整个核心市场的基板格式，工艺和产量以及客户工厂集成需求提供垂直和水平溅射生产解决方案.

 水平溅射架构：这只是Hcvac提供的一系列核心工艺功能和具有水平溅射功能的平台的一小部分

 沉积用于MEMS，无线通信和LED的高性能AlN（和AlScN）层- 

 沉积用于晶圆级光学（WLO）的高通量光子学应用的精密光学叠层- 
      沉积高级封装中的金属层和叠层（UBM / RDL ），电源设备，无线通信，晶圆级EMI屏蔽或PCB接种

  HCVAC的溅射功能，分别支持最大200mm，300mm，380mm和650mm的基板格式。

  高速率直流，直流脉冲，DC / RF源，带有可选偏置
       “多”溅射技术，具有多达4个源，用于合金和化合物的共沉积
       专有的源技术包括“ Penta Plus”和多达6个溅射阴极，可实现出色的阶梯覆盖
       用于光学应用中的TSV工艺和定制硬涂层工艺的高度电离溅射（HIS）技术
       集成了先进的过程控制技术，包括等离子发射监视（PEM）和用于过程控制的光学监视技术
       盒式磁带到盒式磁带的处理

  垂直溅射架构

  矩形阴极技术可在垂直溅射平台上使用，可在MEMS，光电子和光子学应用中高效批量生产TCO，金属，电介质和对准的磁性膜，最大基板尺寸为380 X 560mm。

  基板尺寸之间的简单交换，可快速改变生产要求

蚀刻和PIAD技术

       在汇成产品组合中的每个平台上均可使用Etch和/或PIAD功能进行集成。

       从金属蚀刻到在Fanout晶圆级或面板级封装（FOWLP和FOPLP）中对有机基板的高通量处理，再到具有出色附着力的厚光学叠层的沉积，汇成均可提供定制的蚀刻和PIAD源和工艺。这只是汇成功能的一些示例。

       金属蚀刻
       在BAK平台上可以进行“原位”蚀刻和深加工 。在垂直溅射平台内，负载锁定室可配备脱气，加热和RF或离子束蚀刻功能，以进行预清洁并改善薄膜附着力。我们在薄晶圆上的先进背面金属化工艺包括可控制应力和温度的预蚀刻，可形成高质量的欧姆接触，而不会造成晶圆弯曲或翘曲.

      高级包装

    专用ICP Arctic Etch技术将冷ICP反应器技术与脱气和溅射技术结合使用，以在FOWLP等典型应用中在高度脱气的有机基材上实现稳定的接触电阻（Rc）值。汇成充分利用了晶圆级应用程序中的知识，为FOPLP和高级PCB处理带来功能。

       PIAD用于稳定电介质

       BAK蒸发器，溅射溅射仪和垂直溅射仪上的源技术 与先进的过程控制技术（如光学监控，等离子辐射监测和原位再优化）相结合，可通过蒸发或溅射法沉积稳定的复杂光学层

       请根据您的应用要求与我们联系以获取有关我们在PECVD中的功能的完整详细信息

       PECVD技术可实现具有高击穿电压的高均匀性，无针孔膜，可调节的折射率以及控制从拉伸到压缩的膜应力。

       PECVD解决方案的优势
       定制解决方案
       知道如何在低温过程中
       经验证的MEMS，LED和光子学工艺

光学结构实时优化工艺：实时监控当前镀膜结果，当膜层厚度（光学厚度）偏离设定值时，对下一层进行重新计算和修正，以纠正错误或反向补偿偏差。

可单通道、六通道或十二通道，单材料或多材料沉积的工艺中高精度膜厚监控

射频感应耦合等离子体源（ICP)的优势

提高等离子密度，尤其是惰性反应气体的离化率

高能粒子轰击，提高薄膜致密度

提高成膜质量，可避免高温工艺

改变薄膜晶体结构从而改变薄膜化学或电学性能