HCSH系列

功能性薄膜

涂层设备

Functional film coating equipment
真空应用解决方案提供商
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Functional film coating equipment 功能性薄膜涂层设备

      汇成在PMA I 专利技术的基础上,开发出PMA II 和EFC专利技术,并成功的将PMA II 和EFC技术集成到新一代涂层系统上。该系统具有灵活的配置,可以与ARC、MS、HIPIMS等技术组合使用,为新涂层,新材料的开发提供更多的可能性,为刀具涂层、模具涂层、零部件涂层、DLC涂层、GLC涂层、ta-c涂层等提供完整的涂层方案。

      广泛应用于科研、半导体、工具、刀具、模具、零部件、医疗器械、光学、新能源等行业。可镀制AlTiN、TiAlN、AlTiXN、AlCrN、AlCrXN、TiSiN、CrN、TiN等氮化物涂层,Ta-c、类石墨、Cr+a-c、Cr+a-c:H、W+a-c、W+a-c:H等碳基,Cr+a-c:H、CrN+a-c:H等PECVD涂层。

      汇成真空提供最先进的PVD、PACVD等功能性涂层的广泛产品组合技术设备,用于适应各种加工要求和工件材料的高速钢和硬质合金工件。

      汇成真空涂层节省了总体加工成本,因为它们允许更高的切削速度、进料和由于延长使用寿命而减少的更换工具的时间。涂层的低摩擦性能和硬度允许减少润滑和冷却,建立可预见的磨损,保证加工零件的表面质量更好。

高性能涂层:
      高性能涂层是专门设计用于对坚韧和粗糙的工件材料进行高速、大进料加工的工具,工况高热和高机械负荷,最小或低润滑和冷却。

涂层价值:
      汇成真空的众多特殊用途的涂层加工在HSS和硬质合金工件上,是切削金属、塑料、复合材料和包括木材等其他材料的重要部件。它们提供高效率,延长工件使用寿命,并降低总体成本。


主要模块
Arc HiPIMS
创新的APA蒸发器技术(先进的等离子辅助)基于阴极真空电弧,为新的层结构提供了多种开发可能性。
优势:
●靶材使用率高,降低靶材成本
●沉积率高
●磁场可调节
●靶材更换时间短
●等离子体密度高
●完美的涂层结合力
HiPIMS代表高功率脉冲磁控溅射。
优势:
●离化率高(类似于电弧法)
●高功率密度,从 100 到1000 W/cm2
●等离子密度非常高
●可以通过等离子参数设置来调节层结构
●涂层非常光滑
●完美的涂层结合力
●在低基材温度下沉积致密的涂层
其他模块
溅射 氮化
在溅射工艺中,通过高能离子(Ar)轰击靶材,分离成原子进而转化成气相。通过结合溅射材料和其他气体,将涂层沉积在基材上。
优势:
●可以溅射多种材料
●多种工艺变量可用
●光滑的涂层
●结合功率刻蚀工艺AEGD获得好的涂层结合力
使用氮化模块,可在同一个系统、同一个批次,在PVD和/或PACVD涂层工艺之前进行等离子氮化工艺。由此生成一个硬化层,为后续的PVD/PACVD涂层提供完美的支撑。
优势:
●优化工具和零部件属性
●替代昂贵的基材
●显著延长寿命
●可以应用所有PVD涂层
DLC ta-C
DLC就是类金刚石涂层,指一系列具有超低摩擦系数的非晶碳涂层。使用DLC模块,可以通过使用PVD和/或PACVD工艺来生成不同的DLC涂层。标准DLC涂层包括不含金属或含金属的碳基涂层。
优势:
●完美的涂层结合力
●高耐磨性
●低摩擦系数
●光滑的涂层
ta-C 就是不含氢的四面体非晶碳,指的是一组极硬、低摩擦的非晶碳涂层。使用ta-C模块可以生产不同的ta-C涂层。
优势:
●适用于比DLC更高的温度环境
●非常高的耐磨性
●完美的涂层结合力
●光滑的涂层

Product Advantage.

产品特点
HCSH系列功能性薄膜涂层设备包括以下关键功能:
  • 结构紧凑

    占地面积小,易于集成到工厂

  • 成本低

    单件镀膜成本低

  • 简单

    易于操作维护

  • 模块化

    多种工艺技术灵活组合

  • 低温

    低温工艺适合金属和塑料部件

  • 监控

    本地或远程监控镀膜过程

型号 HCSH-400
有效等离子区域 D400×H450mm
最高工作温度 550℃
技术特点 PMAⅡ
EFC
AEG
HIPIMS
预处理 ARC, AEG, DC, MF, HIPIMS
阴极 D120 / D160 / W125
真空条件 极限真空≤5×10-4Pa
工作真空≤5×10-3Pa
工艺周期 关门到开门4~5h
TiN:2~2.5um
TiAlN:2~2.5um
TiSiN:2~3.5um
设备配置 磁悬浮分子泵
脉冲偏压电源
PC智能控制系统
标准转架 D140×4轴
最大装载量 200KG
备注 选用溅射(UBM,RF等)有效高度会适当减小
在线服务支持系统
型号 HCSH-650
有效等离子区域 D650×H750mm
最高工作温度 550℃
技术特点 PMAⅡ
EFC
AEG
HIPIMS
预处理 ARC, AEG, DC, MF, HIPIMS
阴极 D120 / D160 / W125
真空条件 极限真空≤5×10-4Pa
工作真空≤5×10-3Pa
工艺周期 关门到开门5~8h
TiN:2~2.5um
TiAlN:2~2.5um
TiSiN:2~3.5um
设备配置 磁悬浮分子泵
脉冲偏压电源
PC智能控制系统
标准转架 D140×8轴
最大装载量 500KG
备注 选用溅射(UBM,RF等)有效高度会适当减小
在线服务支持系统
型号 HCSH-900
有效等离子区域 D900×H1200mm
最高工作温度 550℃
技术特点 PMAⅡ
EFC
AEG
HIPIMS
预处理 ARC, AEG, DC, MF, HIPIMS
阴极 D120 / D160 / W125
真空条件 极限真空≤5×10-4Pa
工作真空≤5×10-3Pa
工艺周期 关门到开门7~10h
TiN:2~2.5um
TiAlN:2~2.5um
TiSiN:2~3.5um
设备配置 磁悬浮分子泵×2
脉冲偏压电源
PC智能控制系统
标准转架 D140×12轴
最大装载量 500KG
备注 选用溅射(UBM,RF等)有效高度会适当减小
在线服务支持系统
型号 HCSH-1800
有效等离子区域 D900×H1500mm
最高工作温度 550℃
技术特点 PMAⅡ
EFC
AEG
HIPIMS
预处理 ARC, AEG, DC, MF, HIPIMS
阴极 D120 / D160 / W125
真空条件 极限真空≤5×10-4Pa
工作真空≤5×10-3Pa
工艺周期 关门到开门7~10h
TiN:2~2.5um
TiAlN:2~2.5um
TiSiN:2~3.5um
设备配置 磁悬浮分子泵×2
脉冲偏压电源
PC智能控制系统
标准转架 D140×12轴
最大装载量 500KG
备注 选用溅射(UBM,RF等)有效高度会适当减小
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