HCSH系列

功能性薄膜

涂层设备

Functional film coating equipment
真空应用解决方案提供商
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Custom functional coating equipment 定制功能性涂层设备

您自己公司的涂层专家:公司涂层生产的全套解决方案

      通过由涂层设备和全方位的服务组成的完整的产品包,汇成确保您轻松进入涂层世界。从这里开始,我们将针对您的需求调整我们的技术以实现两者的最优匹配。

      针对每一个客户,我们都量身订做个性化涂层解决方案,并将其融入您已有的涂层设备中,以方便您利用已有的涂层设备和涂层系统,将整套新的制造工艺与您的需求相结合,确保生产的快速和高效。

      作为您的项目合作伙伴,汇成承担为您制定全套涂层解决方案的责任。我们的客户服务团队将针对项目进度、场地布置和接口管理提供详细的规划,针对不同国家的具体情况提供详尽的澄清,如需要,也可在您与社会公共机构沟通时为您提供相应的支持服务,最终将向您提供一个完工的、可以随时投产的涂层生产厂。

PVD工具镀,初次涉足者的机遇

      通过提高工具表面的硬度而提高耐摩擦能力和耐氧化能力,PVD涂层正得到越来越广泛地应用。PVD(物理气相沉积)技术不仅是对环境无污染,而且能够充分地提高工具的生产能力。PVD行业是近来快速发展的行业,并且也是利润可观的行业。所以,越来越多的商业涂层商,修磨中心和工具制造厂家投资PVD设备。

工具修磨商和制造商

      对于工具修磨商和制造商而言,操作的快速性和灵活性是很重要的,这也是在竞争中胜出竞争对手的一个方法。对于商业镀膜服务商而言,夜间自动生产成为可能。采用自主的PVD镀膜设备,工具制造商能够更好的控制工具产品质量。诸多优点促进了PVD技术的使用。

容易掌握

      对于很多不熟悉PVD的人来说,PVD似乎很复杂。然而,如果能够正确的投资并得到有力的支持,PVD比想象的要容易的多。汇成真空开发的“交钥匙”解决方案,使得PVD镀膜生产很容易地实现。完整的镀膜生产线包括:脱膜(视工件情况而定);前处理;质量控制;清洗&烘干;装夹&目测检验;镀膜;质量控制&厚度测量及后处理(视具体应用)。这些工序都可以来源于同一个供货商的解决方案:汇成真空技术镀层,包括成熟的工艺技术和镀层。


主要模块
Arc HiPIMS
创新的APA蒸发器技术(先进的等离子辅助)基于阴极真空电弧,为新的层结构提供了多种开发可能性。
优势:
●靶材使用率高,降低靶材成本
●沉积率高
●磁场可调节
●靶材更换时间短
●等离子体密度高
●完美的涂层结合力
HiPIMS代表高功率脉冲磁控溅射。
优势:
●离化率高(类似于电弧法)
●高功率密度,从 100 到1000 W/cm2
●等离子密度非常高
●可以通过等离子参数设置来调节层结构
●涂层非常光滑
●完美的涂层结合力
●在低基材温度下沉积致密的涂层
其他模块
溅射 氮化
在溅射工艺中,通过高能离子(Ar)轰击靶材,分离成原子进而转化成气相。通过结合溅射材料和其他气体,将涂层沉积在基材上。
优势:
●可以溅射多种材料
●多种工艺变量可用
●光滑的涂层
●结合功率刻蚀工艺AEGD获得好的涂层结合力
使用氮化模块,可在同一个系统、同一个批次,在PVD和/或PACVD涂层工艺之前进行等离子氮化工艺。由此生成一个硬化层,为后续的PVD/PACVD涂层提供完美的支撑。
优势:
●优化工具和零部件属性
●替代昂贵的基材
●显著延长寿命
●可以应用所有PVD涂层
DLC ta-C
DLC就是类金刚石涂层,指一系列具有超低摩擦系数的非晶碳涂层。使用DLC模块,可以通过使用PVD和/或PACVD工艺来生成不同的DLC涂层。标准DLC涂层包括不含金属或含金属的碳基涂层。
优势:
●完美的涂层结合力
●高耐磨性
●低摩擦系数
●光滑的涂层
ta-C 就是不含氢的四面体非晶碳,指的是一组极硬、低摩擦的非晶碳涂层。使用ta-C模块可以生产不同的ta-C涂层。
优势:
●适用于比DLC更高的温度环境
●非常高的耐磨性
●完美的涂层结合力
●光滑的涂层

Product Advantage.

产品特点
HCSH系列功能性薄膜涂层设备包括以下关键功能:
  • 定制化

    量身订做个性化涂层解决方案

  • 一致性

    整个腔室中均匀的镀膜沉积速率

  • 简单

    易于操作维护

  • 模块化

    多种工艺技术灵活组合

  • 低温

    低温工艺适合金属和塑料部件

  • 监控

    本地或远程监控镀膜过程

型号 HCSH-400
有效等离子区域 D400×H450mm
最高工作温度 550℃
技术特点 PMAⅡ
EFC
AEG
HIPIMS
预处理 ARC, AEG, DC, MF, HIPIMS
阴极 D120 / D160 / W125
真空条件 极限真空≤5×10-4Pa
工作真空≤5×10-3Pa
工艺周期 关门到开门4~5h
TiN:2~2.5um
TiAlN:2~2.5um
TiSiN:2~3.5um
设备配置 磁悬浮分子泵
脉冲偏压电源
PC智能控制系统
标准转架 D140×4轴
最大装载量 200KG
备注 选用溅射(UBM,RF等)有效高度会适当减小
在线服务支持系统

Application cases.

应用案例
型号 HCSH-650
有效等离子区域 D650×H750mm
最高工作温度 550℃
技术特点 PMAⅡ
EFC
AEG
HIPIMS
预处理 ARC, AEG, DC, MF, HIPIMS
阴极 D120 / D160 / W125
真空条件 极限真空≤5×10-4Pa
工作真空≤5×10-3Pa
工艺周期 关门到开门5~8h
TiN:2~2.5um
TiAlN:2~2.5um
TiSiN:2~3.5um
设备配置 磁悬浮分子泵
脉冲偏压电源
PC智能控制系统
标准转架 D140×8轴
最大装载量 500KG
备注 选用溅射(UBM,RF等)有效高度会适当减小
在线服务支持系统
型号 HCSH-900
有效等离子区域 D900×H1200mm
最高工作温度 550℃
技术特点 PMAⅡ
EFC
AEG
HIPIMS
预处理 ARC, AEG, DC, MF, HIPIMS
阴极 D120 / D160 / W125
真空条件 极限真空≤5×10-4Pa
工作真空≤5×10-3Pa
工艺周期 关门到开门7~10h
TiN:2~2.5um
TiAlN:2~2.5um
TiSiN:2~3.5um
设备配置 磁悬浮分子泵×2
脉冲偏压电源
PC智能控制系统
标准转架 D140×12轴
最大装载量 500KG
备注 选用溅射(UBM,RF等)有效高度会适当减小
在线服务支持系统
型号 HCSH-1800
有效等离子区域 D900×H1500mm
最高工作温度 550℃
技术特点 PMAⅡ
EFC
AEG
HIPIMS
预处理 ARC, AEG, DC, MF, HIPIMS
阴极 D120 / D160 / W125
真空条件 极限真空≤5×10-4Pa
工作真空≤5×10-3Pa
工艺周期 关门到开门7~10h
TiN:2~2.5um
TiAlN:2~2.5um
TiSiN:2~3.5um
设备配置 磁悬浮分子泵×2
脉冲偏压电源
PC智能控制系统
标准转架 D140×12轴
最大装载量 500KG
备注 选用溅射(UBM,RF等)有效高度会适当减小
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邮箱:office@hcvac.com

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