DLC类金刚石

低摩擦系数

减少摩擦损失

Low friction coefficient, reduce friction loss
真空应用解决方案提供商
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Diamond like carbon (DLC) coating equipment 类金刚石DLC涂层设备

      该系列设备具备多种DLC涂层沉积技术,模块化的涂层设备设计,可根据客产品应用需求,单独或组合过滤阴极电弧,闭合场磁控溅射,PACVD和离子源技术模块于DLC沉积设备,适用于多种科学研究,产品开发和批量生产的要求。技术先进,操作方便,能量消耗少,绿色环保等特点,广泛应用于机械,电子,光学,能源,装饰等领域。

      HCVAC开发的DLC涂层,具有良好的附着性,高的硬度和耐磨性,低的摩擦系数,低的表面粗糙度,能在多种金属与合金工模具或零件表面沉积DLC涂层。独特的低温涂层技术,还能适用于在塑胶等不耐高温的材料上沉积DLC涂层。

      DLC涂层具有较高的硬度、优异的减摩耐磨性能、高热导率、低介 电常数、宽带隙、良好的光学透过性以及优异的化学惰性和生物兼容性等,在航空航天、机械、电子、光学、装饰外观保护、生物医学等领域有着广阔的应用前景。DLC涂层适合于磨损和滑动的环境下,在没有任何润滑介质的条件下,可以降低摩擦损耗,可以用于汽车发动机零部件(燃油喷射系统、动力传动系统)、轴承、滚轮、纺织机械、航空航天等众多领域。

      DLC涂层设备制备的DLC涂层(类金刚石涂层),具备质量稳定,与基体结合力好,耐磨性好,摩擦系数低,耐腐蚀性好等综合优良性能。广泛应用于发动机零部件,有色金属切削刀具,有色金属及不锈钢等成型冲压模具,滑动密封部件,半导体行业模具,注塑模具,纺织行业等。

      针对不同的行业,并根据客户不同的要求及材料,我们运用不同的工艺及制备方法,设计出相适应的DLC涂层设备,以满足客户的需要。

DLC涂层特点:
1、是一个很好的自润滑塑料加工应用涂层;
2、涂层特别致密,不起化学作用,沉积膜是1~3μm,硬度是2000HV~2500HV;
3、具有优异的摩擦磨损性能,耐高温350℃,并具有很高的耐粘接剂和磨粒磨损;
4、快速、可预见的脱模大大提高质量和生产率,是PECVD涂层塑料加工的首选。


主要模块
Arc HiPIMS
创新的APA蒸发器技术(先进的等离子辅助)基于阴极真空电弧,为新的层结构提供了多种开发可能性。
优势:
●靶材使用率高,降低靶材成本
●沉积率高
●磁场可调节
●靶材更换时间短
●等离子体密度高
●完美的涂层结合力
HiPIMS代表高功率脉冲磁控溅射。
优势:
●离化率高(类似于电弧法)
●高功率密度,从 100 到1000 W/cm2
●等离子密度非常高
●可以通过等离子参数设置来调节层结构
●涂层非常光滑
●完美的涂层结合力
●在低基材温度下沉积致密的涂层
其他模块
溅射 氮化
在溅射工艺中,通过高能离子(Ar)轰击靶材,分离成原子进而转化成气相。通过结合溅射材料和其他气体,将涂层沉积在基材上。
优势:
●可以溅射多种材料
●多种工艺变量可用
●光滑的涂层
●结合功率刻蚀工艺AEGD获得好的涂层结合力
使用氮化模块,可在同一个系统、同一个批次,在PVD和/或PACVD涂层工艺之前进行等离子氮化工艺。由此生成一个硬化层,为后续的PVD/PACVD涂层提供完美的支撑。
优势:
●优化工具和零部件属性
●替代昂贵的基材
●显著延长寿命
●可以应用所有PVD涂层
DLC ta-C
DLC就是类金刚石涂层,指一系列具有超低摩擦系数的非晶碳涂层。使用DLC模块,可以通过使用PVD和/或PACVD工艺来生成不同的DLC涂层。标准DLC涂层包括不含金属或含金属的碳基涂层。
优势:
●完美的涂层结合力
●高耐磨性
●低摩擦系数
●光滑的涂层
ta-C 就是不含氢的四面体非晶碳,指的是一组极硬、低摩擦的非晶碳涂层。使用ta-C模块可以生产不同的ta-C涂层。
优势:
●适用于比DLC更高的温度环境
●非常高的耐磨性
●完美的涂层结合力
●光滑的涂层

Product Advantage.

产品特点
HCSH系列类金刚石DLC涂层设备包括以下关键功能:
  • 结构紧凑

    占地面积小,易于集成到工厂

  • 一致性

    整个腔室中均匀的镀膜沉积速率

  • 简单

    易于操作维护

  • 模块化

    多种工艺技术灵活组合

  • DLC

    耐用类金刚石涂层镀膜

  • 监控

    本地或远程监控镀膜过程

型号 HCSH-400
有效等离子区域 D400×H450mm
最高工作温度 550℃
技术特点 PMAⅡ
EFC
AEG
HIPIMS
预处理 ARC, AEG, DC, MF, HIPIMS
阴极 D120 / D160 / W125
真空条件 极限真空≤5×10-4Pa
工作真空≤5×10-3Pa
工艺周期 关门到开门4~5h
TiN:2~2.5um
TiAlN:2~2.5um
TiSiN:2~3.5um
设备配置 磁悬浮分子泵
脉冲偏压电源
PC智能控制系统
标准转架 D140×4轴
最大装载量 200KG
备注 选用溅射(UBM,RF等)有效高度会适当减小
在线服务支持系统

Application cases.

应用案例
型号 HCSH-650
有效等离子区域 D650×H750mm
最高工作温度 550℃
技术特点 PMAⅡ
EFC
AEG
HIPIMS
预处理 ARC, AEG, DC, MF, HIPIMS
阴极 D120 / D160 / W125
真空条件 极限真空≤5×10-4Pa
工作真空≤5×10-3Pa
工艺周期 关门到开门5~8h
TiN:2~2.5um
TiAlN:2~2.5um
TiSiN:2~3.5um
设备配置 磁悬浮分子泵
脉冲偏压电源
PC智能控制系统
标准转架 D140×8轴
最大装载量 500KG
备注 选用溅射(UBM,RF等)有效高度会适当减小
在线服务支持系统

Application cases.

应用案例
型号 HCSH-900
有效等离子区域 D900×H1200mm
最高工作温度 550℃
技术特点 PMAⅡ
EFC
AEG
HIPIMS
预处理 ARC, AEG, DC, MF, HIPIMS
阴极 D120 / D160 / W125
真空条件 极限真空≤5×10-4Pa
工作真空≤5×10-3Pa
工艺周期 关门到开门7~10h
TiN:2~2.5um
TiAlN:2~2.5um
TiSiN:2~3.5um
设备配置 磁悬浮分子泵×2
脉冲偏压电源
PC智能控制系统
标准转架 D140×12轴
最大装载量 500KG
备注 选用溅射(UBM,RF等)有效高度会适当减小
在线服务支持系统

Application cases.

应用案例
型号 HCSH-1800
有效等离子区域 D900×H1500mm
最高工作温度 550℃
技术特点 PMAⅡ
EFC
AEG
HIPIMS
预处理 ARC, AEG, DC, MF, HIPIMS
阴极 D120 / D160 / W125
真空条件 极限真空≤5×10-4Pa
工作真空≤5×10-3Pa
工艺周期 关门到开门7~10h
TiN:2~2.5um
TiAlN:2~2.5um
TiSiN:2~3.5um
设备配置 磁悬浮分子泵×2
脉冲偏压电源
PC智能控制系统
标准转架 D140×12轴
最大装载量 500KG
备注 选用溅射(UBM,RF等)有效高度会适当减小
在线服务支持系统

Application cases.

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