微波等离子体CVD

人造钻石培育系统

CVD diamond system
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CVD diamond growing system CVD人造钻石培育系统

      CVD培育钻石是一种由直径10到30纳米钻石晶体合成的多结晶钻石,它的化学成分为碳,运用先进的设备模拟大自然中钻石生长环境,通过化学气象沉积技术(CVD)栽种而成。

      该系统采用微波等离子体CVD技术,使天然气和氢气加热后,在压力室内形成碳等离子体,该等离子体不断沉积在压力室底部的碳底层上,逐渐积聚和硬化,形成钻石薄片。

      通过等离子增加前驱体的反应速率,降低反应温度。适合制备面积大、均匀性好、纯度高、结晶形态好的高质量硬质薄膜和晶体。

      HCVAC等离子技术解决了传统等离子技术的局限,可以在10mbar到室压范围内激发高稳定度的等离子团,减少因气流、气压、气体成分、电压等因素波动引起的等离子体状态的变化,确保单晶生长的持续性,为合成大尺寸单晶金刚石提供有力保证。

应用范围
高品质单晶金刚石、多晶金刚石的批量生长(大尺寸宝石级单晶钻石、高取向度金刚石晶体、纳米结晶金刚石、碳纳米管/类金刚石碳(DLC))。
同时适用于其它硬质材料如Al2O3,c-BN的薄膜沉积和晶体合成。
多种薄膜的CVD制备、材料表面处理和改性、低温氧化物的生长等。
适合光学、电子、工具级金刚石膜或单晶、石墨烯等的产业化生产,材质表面处理、低温氧化物的生长等。

Product Advantage.

产品特点
CVD人造钻石培育系统包括以下关键功能:
  • 纯净

    洁净,无污染,均匀分布

  • 高纯度

    VVS级别以上

  • 稳定易控

    单晶生长不被干扰中断

  • 模块化

    满足从实验到工业不同需要

  • 适温

    运载气体保持合适温度

  • 自动化

    全自动工艺控制模块

型号 HCCVD-D
电源 AC380±10% V 三相五线制 50Hz,额定输入<18KVA
微波输出功率 0.5~6kW 连续可调
功率稳定度 1%(@稳态)
纹波 ≤1%
微波频率 2450MHz±50MHz
测温方式 红外300~1400℃
极限真空度 6×10-6torr
腔体内工作压力 7torr~250torr
样品台 Φ60mm
样品台轴向调节范围 0-60mm
工作气氛 五路(可用户定制)
微波泄漏值 <5mW/cm2
工作环境 温度15-40℃,相对湿度≤60%,无腐蚀性气体
冷却水  >37L/Min

Application cases.

应用案例
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电话:13316689188

邮箱:office@hcvac.com

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